|
|
Di
ode
ไดโอดผลึก:
วัตถุกึ่งตัวนำแบบ N-type
เกิดจากการเอาสารเยอรมาเนียมบริสุทธิ์ ซึ่งไม่ยอมให้ไฟฟ้าผ่าน ผสมกับธาตุสารหนู
การผสมนี้ต้องมีอัตราส่วนพอเหมาะ ถ้าผสมมากหรือน้อยเกินไป ก็จะไม่เกิดสารกึ่งตัวนำ ผสมแล้วจะมีอิเล็กตรอนเกินมา เพื่อให้นำ
กระแสได้บ้าง
วัตถุกึ่งตัวนำแบบ P-type
เกิดจากการเอาสารเยอรมาเนียมบริสุทธิ์ผสมกับธาตุโบรอน ในอัตราส่วนที่พอเหมาะ
สารที่เอามาเติมกับสารเยอรมาเนียมนี้ เราเรียกว่า สารอสุทธิ (IMPURITY) สาร P-type นี้
ผสมแล้วอิเล็กตรอนของเยอรมาเนียมจะหายไป 1 ตัว เพราะไปอยู่กับโบรอน เยอรมาเนียมเกิดการขาดอิเล็กตรอน จึงมีประจุบวกมากกว่าประจุลบ
ถ้าเราเอาผลึกเยอรมาเนียม ชนิด P กับ N มาเชื่อมตามแนว AB (ดังรูป) เราจะเรียกว่า ไดโอดผลึก (Crystal diode) ซี่งมีคุณสมบัติการ
นำไฟฟ้า แบบกึ่งตัวนำ
รูป ก. ยังไม่สับสวิทซ์ ยังไม่มีอะไรเกิดขึ้น
รูป ข. อิเล็กตรอนจาก N-type ถูกผลัก ผ่านแนว AB ไปสู่ P-type ที่ขาด
อิเล็กตรอน เมื่อถูกผลักจากขั้วลบ และถูกดูดจากขั้วบวก อิเล็กตรอนจึงกระโดดไปเรื่อยๆ นั่นคือ เกิดกระแสไฟฟ้าไหล
รูป ค. เอา P-type กับขั้วลบ และ N-type กับขั้วบวก ขั้วบวกดูดอิเล็กตรอน
มาออกันอยู่อีกฝั่งหนึ่ง ข้ามไปหา P-type ไม่ได้ จึงไม่มีกระแสไหล
แนว AB ในข้อ ข. เรียกว่า ขั้วความต้านทานต่ำ (low resistance barrier)
แนว AB ในข้อ ค. เรียกว่า ขั้วความต้านทางสูง (high resistance barrier)
|